| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成无定形碳层，且所述无定形碳表面具有结晶源；对所述无定形碳层表面进行氧化处理，氧化去除所述结晶源。本发明氧化去除位于无定形碳层表面的结晶源，防止所述结晶源在与外界环境接触后体积增加，从而避免无定形碳层表面的结晶现象，进而提高无定形碳层表面平坦度，提高形成的无定形碳层的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN105244254A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201410325768.6 | 申请日期 | 2014.07.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成无定形碳层，且所述无定形碳表面具有结晶源；对所述无定形碳层表面进行氧化处理，氧化去除所述结晶源。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||