发明名称 シリコン単結晶中の窒素濃度評価方法
摘要
申请公布号 JP5842765(B2) 申请公布日期 2016.01.13
申请号 JP20120177667 申请日期 2012.08.10
申请人 信越半導体株式会社 发明人 鎌田 洋之;星 亮二
分类号 G01N21/3563;C30B29/06 主分类号 G01N21/3563
代理机构 代理人
主权项
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