一种有机非线性光学晶体的生长方法

摘要

本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种有机非线性光学晶体的生长方法，先将DAST晶体生长原料干燥后溶于无水甲醇溶液中，配制成DAST甲醇溶液；再将DAST甲醇溶液加热过滤后转入广口瓶中；然后将聚四氟乙烯板放入广口瓶后密封广口瓶；再将广口瓶放置在密封的水浴加热装置中保温后降温，直至DAST晶体不再生长时，将DAST晶体取出，即生长得到表面积较大且厚度较厚的DAST晶体；其生长方法简单，原理科学，生长环境友好，成本低，生长出的DAST晶体几何尺寸大，透过率高，便于进一步加工利用。

主权项

一种有机非线性光学晶体的生长方法，其特征在于选用4‑(4‑二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐，即DAST作为晶体生长原料，采用斜板缓慢降温法，通过调整和控制工艺参数，优化生长条件，生长出表面积和厚度较大的DAST晶体；其具体生长过程为：(1)、将DAST晶体生长原料置于100℃烘箱中干燥1小时，得到干燥后的DAST晶体生长原料；(2)、称取5.5g干燥后的DAST晶体生长原料，将其溶于100mL无水甲醇溶液中，加热搅拌2小时，得到DAST甲醇溶液；(3)、将DAST甲醇溶液加热至50℃后过滤，将过滤得到的滤液转入干燥洁净的广口瓶中；(4)、将聚四氟乙烯板放入步骤(3)中的广口瓶中，保持聚四氟乙烯板的倾斜角为45°，然后密封广口瓶；聚四氟乙烯板刻有3条凹槽，凹槽的深度为3mm，宽度为4mm；(5)、将步骤(4)中密封后的广口瓶放入精确控温的水浴加热装置中，密封水浴加热装置，水浴加热装置的调温精确度为±0.01℃；(6)、将水浴加热装置的起始温度设为60℃，保温3个小时，然后以2℃/天的速度降温；(7)、当步骤(6)中广口瓶内的溶液接近饱和时，开始以0.5℃/天的速度降温，30天后取出DAST晶体，即为生长得到的表面积较大且厚度较厚的DAST晶体；DAST晶体的晶胞参数为：a＝10.3668，b＝11.3333，c＝17.9130，β＝92.09°，