| 发明名称 | 液晶介质和包含其的高频组件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及液晶介质和包含其的高频组件,特别是用于高频器件的微波组件，例如用于微波移相、特别是用于微波“相控阵”天线的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103842474B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201280047064.6 | 申请日期 | 2012.09.07 |
| 申请人 | 默克专利股份有限公司 | 发明人 | 真边笃孝;C·贾斯伯;V.雷芬拉斯;C·布罗克;D.保鲁斯;D·克拉斯 |
| 分类号 | C09K19/18(2006.01)I;C09K19/44(2006.01)I | 主分类号 | C09K19/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈晰 |
| 主权项 | 液晶介质，特征在于它包含总浓度为≥90％的三种或更多种式I的化合物，<img file="FDA0000765442910000011.GIF" wi="1407" he="258" />其中R<sup>11</sup>表示C<sub>n</sub>H<sub>2n+1</sub>或CH<sub>2</sub>＝CH‑(CH<sub>2</sub>)<sub>Z</sub>，和R<sup>12</sup>表示C<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>或O‑C<sub>m</sub>H<sub>2m+1</sub>或(CH<sub>2</sub>)<sub>Z</sub>‑CH＝CH<sub>2</sub>，n和m,彼此独立地表示1‑9的整数，和z表示0、1、2、3或4，并且其中所述介质包含以下化合物‑式Ia的化合物<img file="FDA0000765442910000012.GIF" wi="1348" he="250" />总浓度为≥45％‑式Ib的化合物<img file="FDA0000765442910000013.GIF" wi="1345" he="286" />和‑式Ic的化合物<img file="FDA0000765442910000014.GIF" wi="1302" he="257" /> | ||
| 地址 | 德国达姆施塔特 | ||