一种多芯片边胶去除方法

摘要

本发明公开了一种多芯片边胶去除方法，去除装置有一个对芯片边胶进行选择性曝光的光刻掩膜版和一个用于承载并定位芯片的样品吸盘，样品吸盘上的凸台既可以用作定位芯片，也可以用作光刻的对版标记；样品吸盘中部开有孔槽，可配合光刻机吸盘固定芯片。光刻掩膜版上型图形内部有与凸台相对应的对准标记。将待去边胶的方形芯片放置在有定位凸台的样品吸盘上，用带有对准标记和掩膜图形的光刻掩膜版对芯片进行两步曝光，经过显影及定影后，去除掉芯片的边胶。该方法提高了方形芯片边胶去除效率，从而减小了后续光刻工艺的极限尺寸和套准难度。

主权项

一种多芯片边胶去除方法，其特征在于方法步骤如下：1)、四片方形芯片表面旋转涂覆光致抗蚀剂并进行前烘，将光刻掩膜版(1)安装在光刻机的掩膜版吸盘上；2)、将样品吸盘(2)放置于光刻机的样品吸盘上，再将前烘好的芯片放置在样品吸盘(2)上定位，使每片芯片任一顶角的相邻直角边侧壁与定位凸台(5)侧壁接触，开启光刻机的真空吸片；3)、进行对版，使对准标记(4)两端的对准图案与定位凸台(5)两端的三角形顶点套准；4)、接触式曝光，曝光时间为该光致抗蚀剂标准曝光时间的2～5倍；5)、将每片芯片旋转180°，使与2)步骤中顶角的相对顶角直角边与凸台(5)侧壁接触，重复(2)～(4)步骤；6)、对曝光后的芯片进行显影和定影，显影时间为该光致抗蚀剂标准显影时间的1.5～3倍；7)、将去除边胶后的芯片用氮气吹干，并烘干2～5分钟，用于正式光刻。