| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电结构与第二导电结构。第一掺杂区包括第一接触区。第一掺杂区与第一接触区具有第一导电型。第二掺杂区包括第二接触区。第二掺杂区与第二接触区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一掺杂区是邻近第二掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN103227171B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201210021446.3 | 申请日期 | 2012.01.31 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈建志;陈立凡;林正基;连士进;吴锡垣 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，包括一第一接触区，其中该第一掺杂区与该第一接触区具有一第一导电型；以及一第二掺杂区，包括一第二接触区，其中该第二掺杂区与该第二接触区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第一掺杂区是邻近该第二掺杂区；其中该第一掺杂区更包括一第一体掺杂部份和一侧掺杂部份，该第一体掺杂部份与该侧掺杂部份具有该第一导电型，该侧掺杂部份是邻近在该第一体掺杂部份与该第二掺杂区之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||