| 发明名称 | 互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 互连结构及其形成方法。互连结构包括：位于衬底上方的第一蚀刻终止层；位于第一蚀刻终止层上方的介电层；位于介电层中的导体以及位于介电层上方的第二蚀刻终止层。介电层包含碳并且具有顶部和底部。顶部和底部中的C含量的差值小于2at％。导体的表面中的氧含量小于约1at％。 | ||
| 申请公布号 | CN103367311B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201210337911.4 | 申请日期 | 2012.09.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 施伯铮;杨慧君;孙志鸿;刘中伟 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种器件，包括：衬底；第一蚀刻终止层，位于所述衬底上方；介电层，所述介电层为单层并且具有被等离子体处理过的顶部和未被等离子体处理过的底部，所述介电层位于所述第一蚀刻终止层上方，其中，所述介电层包含碳并且所述顶部和所述底部中的C含量的差值小于2at％；导体，位于所述介电层中，其中，所述导体的表面中的氧含量小于1at％；以及第二蚀刻终止层，位于所述介电层的顶部上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||