发明名称 |
感生热梯度 |
摘要 |
确定第一管芯上的第一热传感器与第二热传感器之间的温度差;将温度差从第一管芯传送到第二管芯上的电路。确定来自第二管芯上的热传感器的温度。在第二管芯上利用温度差和来自热传感器的温度来更改第二管芯上的一个或多个电路的操作特性。 |
申请公布号 |
CN105244053A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510627479.6 |
申请日期 |
2012.02.08 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
K·D·休梅克 |
分类号 |
G11C11/406(2006.01)I;G11C7/04(2006.01)I;G01K3/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/406(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张东梅 |
主权项 |
一种装置,包括:存储器管芯,包括动态随机存取存储器(DRAM)、包括用于热偏移位的存储位置的模式寄存器以及存储器热传感器;以及第二管芯,包括逻辑电路且与所述存储器管芯热耦合,所述第二管芯进一步包括第一热传感器和第二热传感器,所述第一和第二热传感器检测热梯度,并且响应于检测到所述热梯度的变化,所述逻辑电路向所述存储器管芯上的所述模式寄存器的用于热偏移位的存储位置提供热偏移位,所述存储器管芯的所述存储器热传感器与所述第二管芯的所述第一热传感器对准或紧邻,并且所述第二管芯的第二热传感器位于所述第二管芯的热点处;其中所述存储器管芯包括温度补偿自刷新(TCSR)逻辑,所述TCSR逻辑至少部分地响应于所述热偏移位修改所述DRAM的自刷新速率。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |