| 发明名称 | 一种基于硅衬底的HEMT器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基于硅衬底的HEMT器件及其制造方法，先形成第一GaN外延层，然后在第一GaN外延层上形成图形化的介质层，再在第一GaN外延层和图形化的介质层上形成第二GaN外延层，通过在GaN生长中进行图形化的处理，形成生长窗口，利用ELOG生长改善机理来提高GaN材料的晶体结晶质量，进而改善基于硅衬底的HEMT器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105244377A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201510717576.4 | 申请日期 | 2015.10.29 |
| 申请人 | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 | 发明人 | 陈兴;张昊翔;江忠永;陈向东 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 余毅勤 |
| 主权项 | 一种基于硅衬底的HEMT器件，其特征在于，包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的第一GaN外延层；形成于所述第一GaN外延层上的图形化的介质层；覆盖所述第一GaN外延层和图形化的介质层的第二GaN外延层；形成于所述第二GaN外延层上的AlGaN势垒功能层；以及形成于所述AlGaN势垒功能层上的栅极、源极和漏极。 | ||
| 地址 | 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 | ||