| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明是一种半导体装置，其特征在于，其具有：硅系基板；第一缓冲层，该第一缓冲层设置于前述硅系基板上，由含有Al成份的第一层与Al含量比前述第一层少的第二层交互积层而成；第二缓冲层，该第二缓冲层设置于前述第一缓冲层上，由含有Al成份的第三层与Al含量比前述第三层少的第四层交互积层而成；及，第三缓冲层，该第三缓冲层设置于前述第二缓冲层上，由含有Al成份的第五层与Al含量比前述第五层少的第六层交互积层而成；并且，整体来说，前述第二缓冲层的Al含量，比前述第一缓冲层和前述第三缓冲层多。由此，提供一种半导体装置，其可减低施加在缓冲层上的应力，并抑制漏电流、改善有源层顶面的平坦性。 | ||
| 申请公布号 | CN105247665A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201480031054.2 | 申请日期 | 2014.05.02 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 鹿内洋志;佐藤宪;后藤博一;篠宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;李英艳 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，其具有：硅系基板；第一缓冲层，该第一缓冲层设置于前述硅系基板上，由含有Al成份的第一层与Al含量比前述第一层少的第二层交互积层而成；第二缓冲层，该第二缓冲层设置于前述第一缓冲层上，由含有Al成份的第三层与Al含量比前述第三层少的第四层交互积层而成；及，第三缓冲层，该第三缓冲层设置于前述第二缓冲层上，由含有Al成份的第五层与Al含量比前述第五层少的第六层交互积层而成；并且，整体来说，前述第二缓冲层的Al含量，比前述第一缓冲层和前述第三缓冲层多。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||