半导体晶圆的评价方法

摘要

本发明是一种半导体晶圆的评价方法，其特征在于，包含以下步骤：准备已知污染元素及污染量的基准晶圆的步骤；在所述基准晶圆上形成多个包含pn接合的单元的步骤；测量所述基准晶圆的所述多个单元的接合漏电流，获取所述基准晶圆的所述接合漏电流的分布的步骤；进行所述基准晶圆的所述接合漏电流的分布与污染元素的对应关联的步骤；在被测晶圆上形成多个包含pn接合的单元的步骤；测量所述被测晶圆的所述多个单元的接合漏电流，获取所述被测晶圆的所述接合漏电流的分布的步骤；基于所述对应关系，特定所述被测晶圆的污染元素的步骤。

主权项

一种半导体晶圆的评价方法，其是通过接合漏电流来评价半导体晶圆的方法，其特征在于，包含以下步骤：准备已知污染元素和污染量的基准晶圆的步骤；在所述基准晶圆上形成多个包含pn接合的单元的步骤；测量所述基准晶圆的所述多个单元的接合漏电流，获取所述基准晶圆的所述接合漏电流的分布的步骤；进行所述基准晶圆的所述接合漏电流的分布与污染元素的对应关联的步骤；在被测晶圆上形成多个包含pn接合的单元的步骤；测量所述被测晶圆的所述多个单元的接合漏电流，获取所述被测晶圆的接合漏电流的分布的步骤；基于所述对应而得的对应关系，特定所述被测晶圆的污染元素的步骤。