晶片加工用胶带及其制造方法

摘要

提供即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，传感器识别性也很良好，且生产性或检查精度为良好的晶片加工用胶带及其制造方法。晶片加工用胶带(10)，具备：长条状的脱模型膜(11)，与胶粘剂层(12(22))、粘合膜(13(23a、23b))。脱模型膜(11)，于面(11a)形成有沿着标签形状粘接部(22)的外周的环状的第1切痕部(26)。此第1切痕部(26)，在脱模型膜(11)与粘合膜(13(23a))被层叠的层叠部，是以对应于有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27b)的600～700nm波长的透过率A(％)与对应于没有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27a)的600～700nm波长的透过率B(％)的透过率差C成为0.1％以上的方式被形成的。

主权项

一种晶片加工用胶带，其具备：长条状的脱模型膜、设于所述脱模型膜上的具有规定的平面形状的1个以上的胶粘剂层、分别覆盖所述胶粘剂层，且在所述胶粘剂层的周围以与所述脱模型膜接触的方式设置的1个以上的粘合膜；所述脱模型膜，在该脱模型膜的层叠有所述胶粘剂层的面，形成有沿着该胶粘剂层的外周形成的环状的切痕部，在所述脱模型膜与所述粘合膜被层叠的层叠部，对应于有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率A与对应于没有所述切痕部的位置的所述层叠部的600～700nm波长的透过率B的透过率差C＝A－B，为0.1％以上，所述胶粘剂层的合计厚度为5μm以下，所述透过率A为75～95％。