发明名称 |
一种ZrO<sub>2</sub>、LiF共掺杂真空烧结氧化镥透明陶瓷的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种ZrO<sub>2</sub>、LiF共掺杂真空烧结氧化镥透明陶瓷的方法。该方法对常规真空烧结制备氧化镥透明陶瓷的方法进行了改良,结合了LiF和ZrO<sub>2</sub>的助烧性能优点,通过工艺步骤的优化,避免了各自的劣势,最终用简单的工艺步骤,获得了高透明的氧化镥陶瓷。本发明的制备方法简单、成本低、效率高。并且本发明获得到氧化镥透明陶瓷透过率高,接近氧化镥理论透过率。 |
申请公布号 |
CN105236980A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510813014.X |
申请日期 |
2015.11.19 |
申请人 |
中国工程物理研究院化工材料研究所 |
发明人 |
敬畏;黄辉;余盛全;胥涛;吉祥波;邓建国;康彬;尹文龙;唐明静 |
分类号 |
C04B35/50(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/50(2006.01)I |
代理机构 |
四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
代理人 |
刘兴亮 |
主权项 |
一种ZrO<sub>2</sub>、LiF共掺杂真空烧结氧化镥透明陶瓷的方法,其特征在于它包括以下步骤:A,粉体前处理首先,按比例混合氧化镥、氧化锆、氧化锂和稀土离子氧化物,在得到的混合物中加入等质量的酒精后,再加入分散剂,球磨、烘干、过200目筛,得到粒度均匀的亚微米级粉体;B,成型然后,将得到的亚微米级粉体经14~16MPa干压成型为圆片后,再经198~202MPa冷等静压,得到的陶瓷圆片素坯在595~605℃下煅烧24h,再将陶瓷圆片素坯置于真空炉中煅烧,得到成型的陶瓷坯体;C,烧结最后,将成型的陶瓷坯体在真空炉中进行二次真空烧结,再放入高温马弗炉中煅烧一段时间,缓慢退火,得到所述的氧化镥透明陶瓷。 |
地址 |
621000 四川省绵阳市绵山路64号 |