化合物半导体晶片、光电转换元件、以及III-V族化合物半导体单晶的制造方法

摘要

对于将含有Zn作为杂质的III-V族化合物半导体单晶作为基板的光电转换元件，可以不使转换效率降低，而将基板大型化。在耐热性的容器中填充原料和密封剂，将原料和密封剂加热，由此将原料熔解制成熔融液，同时使密封剂熔解，用密封剂将上述熔融液从上方覆盖，控制容器内的温度，以使相对于密封剂下部，密封剂上部的温度在不成为密封剂下部的温度以上的范围升高，在熔融液中浸渍晶种，将晶种相对于熔融液向上方提拉，由此使单晶由晶种生长。由此，虽然Zn的平均浓度是5×10¹⁷cm^-3以上且3×10¹⁸cm^-3以下的不会表现结晶硬化效果的低浓度，但可以得到直径2英寸以上的大型的、位错密度低、为5000cm^-2的化合物半导体晶片。

主权项

化合物半导体晶片，其特征在于，其由含有锌作为杂质的III‑V族化合物半导体单晶组成，主面形成为直径2英寸以上的圆形，单晶中的锌的平均浓度为5×10¹⁷cm^‑3以上且3×10¹⁸cm^‑3以下，平均位错密度为5000cm^‑2以下。