发明名称 |
高空穴注入效率的LED外延结构 |
摘要 |
高空穴注入效率的LED外延结构,涉及发光二极管外延技术领域。本实用新型从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。其中多量子阱由InGaN层和GaN层构成。其结构特点是,所述电子阻挡层从下至上依次由p型AlxGa1-xN层、AlN层和p型InyGa1-yN层构成,其中0<x≤0.3、0<y≤0.2。所述电子阻挡层包括8-12个生长周期,生长压力为100-200Torr,在氮气环境中生长。本实用新型采用由p型AlxGa1-xN层、AlN层和p型InyGa1-yN超晶格层构成电子阻挡层,通过应变和减小合金散射来提高空穴浓度和迁移率,提升发光二级管的发光效率。 |
申请公布号 |
CN204966527U |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201520657363.2 |
申请日期 |
2015.08.28 |
申请人 |
南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
发明人 |
郑建钦;田宇;吴真龙;曾颀尧;赖志豪;林政志 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
高空穴注入效率的LED外延结构,从下至上依次包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、未掺杂GaN层(3)、N型GaN层(4)、多量子阱(5)、电子阻挡层(6)、P型GaN层(7)和P型接触层(8),其中多量子阱(5)由InGaN层(13)和GaN层(12)构成,其特征在于:所述电子阻挡层(6)从下至上依次由p型AlxGa1‑xN层(9)、AlN层(10)和p型InyGa1‑yN层(11)构成,其中0<x≤0.3、0<y≤0.2,所述电子阻挡层(6)包括8‑12个生长周期,生长压力为100‑200Torr,在氮气环境中生长。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |