| 摘要 |
<p>본 발명은 비휘발성 메모리 장치에 관한 것으로서, MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 소자에 쓰기 전류의 인가시 라이트 펄스 폭에 따른 라이트 패일을 방지할 수 있도록 하는 기술을 개시한다. 이러한 본 발명은 비트라인 및 소스라인에 인가되는 쓰기 전류에 따라 자기저항 소자에 데이터를 리드 및 라이트 하는 메모리 셀, 라이트 구동신호에 따라 메모리 셀에 쓰기 전류를 공급하는 라이트 구동부, 비트라인 및 소스라인에 연결되고 자기저항 소자의 저항 변화를 감지하여 천이 검출신호를 출력하는 천이 검출부, 및 천이 검출신호에 따라 라이트 구동신호의 펄스폭을 제어하는 라이트 제어부를 포함한다.</p> |
