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<p>매립 게이트 전극의 형성방법을 개시한다. 본 발명의 매립 게이트 전극의 형성 방법은 반도체 기판 내에 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치가 형성된 상기 반도체 기판 위에 게이트 산화막을 형성한다. 상기 게이트 산화막 위에 제1 게이트 전극층을 형성한다. 상기 제1 게이트 전극층 위로 상기 트렌치를 메우도록 실리콘층을 형성한다. 상기 실리콘층의 측면의 일부가 노출되도록 상기 제1 게이트 전극층의 일부를 선택적으로 리세스한다. 상기 제1 게이트 전극층의 일부가 리세스된 상기 반도체 기판 위에 금속층을 형성한다. 그리고 상기 금속층이 형성된 상기 반도체 기판을 열처리하여 상기 실리콘층의 상부에 금속 실리사이드층을 형성한다.</p> |
