| 发明名称 |
ELECTROSTATIC DISCHARGE DIODE |
| 摘要 |
방법은 기판에 형성되는 제 1 비아의 일 부분을 노출시키기 위해 기판의 이면을 씨닝하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 기판의 이면에 제 1 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다. 제 1 다이오드는 제 1 비아에 결합된다. |
| 申请公布号 |
KR20160004356(A) |
申请公布日期 |
2016.01.12 |
| 申请号 |
KR20157033748 |
申请日期 |
2014.04.23 |
| 申请人 |
QUALCOMM INCORPORATED |
发明人 |
RAMACHANDRAN VIDHYA;HENDERSON BRIAN M.;GU SHIQUN;TAN CHIEW GUAN;KIM JUNG PILL;KIM TAEHYUN |
| 分类号 |
H01L29/66;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/525;H01L23/535;H01L25/065;H01L27/02;H01L27/06;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L29/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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