发明名称 |
形成基底图案的方法以及校正曝光机台的方法 |
摘要 |
基底图案的方法之实施例包含在基底上形成底层和覆盖在上面的中间层,在中间层上形成光阻图案,在光阻图案上沈积蚀刻涂层,使用蚀刻涂层和光阻图案作为遮罩元件,将中间层和底层的其中至少一个图案化,使用图案化中间层和图案化底层的其中至少一个作为遮罩元件,蚀刻基底以形成基底图案,基底图案可作为叠对量测制程的元件。
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申请公布号 |
TWI517211 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW102139015 |
申请日期 |
2013.10.29 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林毓超;许家豪;吴国钰;陈嘉仁;陈昭成 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);G03F7/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
一种形成基底图案的方法,包括:形成一底层和一中间层在一基底上,其中该中间层覆盖在该底层上;形成一第一光阻图案在该中间层上,其中该第一光阻图案包括一顶面和二个相对的侧壁面;使用一电浆制程,沈积包含碳的一蚀刻涂层在该第一光阻图案上,其中该沉积步骤包括形成该蚀刻涂层在该第一光阻图案的该二个相对的侧壁面上;使用该蚀刻涂层和该第一光阻图案作为一遮罩元件,将该中间层和该底层图案化;以及使用该图案化底层作为一遮罩元件,蚀刻该基底,形成一凹陷基底图案在该基底中。
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |