记忆装置、于该记忆装置中产生程式化偏压脉冲的方法、及包含记忆装置之积体电路

摘要

明系揭露一种记忆装置，其包括复数个记忆胞串列串联安排于半导体主体中，例如是反及闸串列，具有复数条字元线。一选取目标记忆胞系由递增步进脉冲程式化加以程式化，其中包括施加一程式化偏压脉冲具有至少一循环的阶梯轮廓，包括一初始阶段中程式化电压及通过电压设定为具有一初始阶级，及一后续部份该程式化电压及选择性地将通过电压升压至第二阶级。于初始阶段中，该位元线电压及该串列选择线电压系用来开启该串列选择切换开关，并于该后续阶段中关闭该串列选择切换开关。此外，于施加该抑制位元线电压以关闭该未选取串列的该串列选择切换开关之前，该程式化电压降至小于该程式化大小的一第一大小，并于施加该抑制位元线电压以关闭该未选取串列的该串列选择切换开关之后，该程式化电压升至该程式化大小。

主权项

一种记忆装置，包含：复数个感测节点及参考节点；复数个记忆胞串列，每一个串列安排连接介于对应的感测节点与参考节点之间，且包括一串列选择切换开关以选择性地连接该串列至对应的位元线；复数条字元线及至少一条串列选择线，字元线与该复数个记忆胞串列中对应的记忆胞耦接且该至少一条串列选择线与对应的串列选择切换开关耦接；逻辑与电路和该复数条字元线、该至少一条串列选择线、该复数条位元线及该参考节点耦接，以程式化一选取串列中一记忆胞的一选取字元线以建立一程式化记忆胞临界电压于一目标临界电压内，该逻辑与电路组态为施加一程式化偏压脉冲，包括：施加一程式化电压至该选取字元线及通过电压至该复数条字元线中的其他字元线，该程式化电压及至少一通过电压于该程式化偏压脉冲的一初始阶段中具有一第一大小，并于后续阶段中转变至各自的一第二大小；施加一位元线电压至与该所选取串列对应的感测节点及一参考电压至与该所选取串列对应的该参考节点；以及施加一串列选择电压至该至少一条串列选择线，该位元线电压及该串列选择线电压系用来于该程式化偏压脉冲的该初始阶段中开启该串列选择切换开关，并于该后续阶段中关闭该串列选择切换开关或是降低该串列选择切换开关的导电率。