发明名称 半导体记忆装置
摘要 信号产生电路(104)输出触发信号。延迟电路(110)接受触发信号,用来输出使触发信号延迟之延迟信号。时脉计数器(106)接受时脉,从接受到触发信号起到接受到延迟信号为止之期间,计数接受到之时脉之数,输出计数结果。判定电路(107)记忆时脉之数和潜伏期之对应关系,判定与从时脉计数器输出之计数结果对应之潜伏期。潜伏期用暂存器(108)保持被判定之潜伏期。WAIT控制电路(109)根据被保持在潜伏期用暂存器(108)之潜伏期,将WAIT信号输出到外部。
申请公布号 TWI517151 申请公布日期 2016.01.11
申请号 TW103122670 申请日期 2005.01.31
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 三木武夫;泽田诚二;筑出正树
分类号 G11C11/401(2006.01) 主分类号 G11C11/401(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣
主权项 一种半导体记忆装置,系依照外部信号之组合,而被设定在多个动作模态之任一模态,其特征为,具备有:记忆器阵列,系具有被配置成为行列状之多个记忆单元;位元线对偶,系分别连接到上述记忆单元;第1放大电路,系将上述位元线对偶之电位进行放大;IO线对偶,系连接到多个之上述位元线对偶;和2种以上之第2放大电路,系回应上述各个模态而任一者被活性化,将上述IO线对偶之电位进行放大;上述多个动作模态为与从外部被输入之时脉同步之同步动作模态,和不与时脉同步之非同步动作模态;上述第2放大电路为:与同步动作模态对应之第1种放大电路;和与非同步动作模态对应之第2种放大电路。
地址 日本