发明名称 用于测量电容的电路及方法以及半导体晶片
摘要 了一种可以能够可再生地测量极小电容及其变化的电容感测器和测量电路。该电容可以根据本地环境状况,比如机械应力(例如翘曲或剪应力)、机械压力、温度和/或湿度,而变化。可能所期望的是,提供整合到半导体晶片中的电容器,该电容器足够小且对精确测量预期半导体晶片所经历的状况敏感。
申请公布号 TWI516745 申请公布日期 2016.01.11
申请号 TW102108460 申请日期 2013.03.11
申请人 英特尔德国公司 发明人 巴斯 汉斯乔琴;波麦斯特 霍斯特;波加纳 彼得;瑞斯 菲利浦;克鲁格 杰森卡
分类号 G01D5/24(2006.01);G01N27/22(2006.01);H01L23/544(2006.01) 主分类号 G01D5/24(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种用于测量电容的电路,包括:第一电晶体,具有闸极且还具有电流通路,该电流通路由第一电晶体的闸极控制且耦合在第一输入节点和电容器的第一节点之间;第二电晶体,具有闸极且还具有电流通路,该电流通路由第二电晶体的闸极控制且耦合在第二输入节点和该电容器的第一节点之间;第三电晶体,具有闸极且还具有电流通路,该电流通路由第三电晶体的闸极控制且耦合在第三输入节点和该电容器的第二节点之间;第四电晶体,具有闸极且还具有电流通路,该电流通路由第四电晶体的闸极控制且耦合在第四输入节点和该电容器的第二节点之间;和信号产生器,被配置用以产生第一周期信号和第二周期信号,且向第一和第三电晶体的闸极提供第一周期信号并向第二和第四电晶体提供第二周期信号,其中第一和第二周期信号彼此异相180度,其中,第一和第二电晶体都是n型电晶体,或者都是p型电晶体,且第三和第四电晶体都是n型电晶体,或者都是p型电晶体。
地址 德国