| 发明名称 |
用于电解沈积铜的水性酸浴 |
| 摘要 |
明系关于用于电解沈积铜的水性酸浴，其包括至少一种铜离子源、至少一种酸、至少一种增亮剂化合物及至少一种铜沈积之平整剂，其中至少一种平整剂系钌化合物，且系关于用于电解沈积铜、尤其用于在印刷电路板、晶片载体及半导体晶圆上填充盲微导孔、通孔导孔、沟道及类似结构之制程。
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| 申请公布号 |
TWI516643 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW101115007 |
申请日期 |
2012.04.26 |
| 申请人 |
德国艾托特克公司 |
发明人 |
丹伯朗斯琪 尼那;豪夫 威;艾威特 尹葛;尔宾 克里斯托福;温萨尔 瑞尼 |
| 分类号 |
C25D3/38(2006.01);C25D3/50(2006.01);C25D5/18(2006.01);H05K3/42(2006.01) |
主分类号 |
C25D3/38(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种用于电解沈积铜之水性酸浴，其包括至少一种铜离子源，至少一种酸，至少一种增亮剂化合物，至少一种卤离子源，及至少一种用作铜沈积之平整剂之物质，其中该至少一种物质系溶解之钌，及至少一种铁离子源作为铜沈积之平整剂及/或抑制剂，其中钌之浓度为0.01mg/l至100mg/l，且其中铁系以铁/钌莫耳比率为至少1.5Mol(Fe)/1Mol(Ru)之量存在。
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| 地址 |
德国 |
