| 发明名称 |
平面显示装置及制造其之方法 |
| 摘要 |
制造平面显示装置之方法包含：形成薄膜电晶体(TFT)之半导体层于基板上；形成闸极电极于该半导体层而具有闸极绝缘层在该闸极电极和该半导体层之间，以及以离子杂质掺杂该半导体层之源极和汲极区域；依序形成第一传导层、第一绝缘层和第二传导层，并且藉由图案化该第一传导层、第一绝缘层和该第二传导层形成与该TFT相隔一距离之电容；形成第二绝缘层，且穿过该第二绝缘层形成接触孔，该接触孔曝露源极和汲极区域以及第二传导层之部分；以及形成源极和汲极电极，该源极电极接触该源极区域且该汲极电极接触该汲极区域，其分别地透过该些接触孔接触该源极电极和汲极电极以及该第二传导层。 |
| 申请公布号 |
TWI517301 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW100119270 |
申请日期 |
2011.06.01 |
| 申请人 |
三星显示器有限公司 |
发明人 |
郑震九;金德会;太胜奎;元裕奉;郑盛佑 |
| 分类号 |
H01L21/77(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
李国光;张仲谦 |
| 主权项 |
一种制造平面显示装置之方法，该方法包含：形成薄膜电晶体(TFT)之半导体层于基板上；形成闸极电极于该半导体层上而具有闸极绝缘层在该闸极电极和该半导体层之间，以及以离子杂质掺杂该半导体层之源极和汲极区域；依序形成第一传导层、第一绝缘层和第二传导层，并且藉由图案化该第一传导层、第一绝缘层和该第二传导层形成与该TFT相隔一距离之电容；形成第二绝缘层，且形成穿过该第二绝缘层的接触孔，该接触孔曝露源极和汲极区域以及第二传导层之部分；以及 形成源极和汲极电极，该源极电极接触该源极区域且该汲极电极接触该汲极区域，该 源极电极 和 汲极电极 中之一者透过接触孔接触该第二传导层。 |
| 地址 |
南韩 |
