发明名称 |
包含堆叠反及式阻抗性记忆体单元串的非挥发记忆体装置及其制造方法 |
摘要 |
明提供一种非挥发记忆体装置,其包含:一基板;该基板上之一绝缘层;及复数个串联连接之阻抗性记忆体单元,其堆叠于该绝缘层中,使得该复数个阻抗性记忆体单元中之一第一者在该基板上且该复数个阻抗性记忆体单元中之一下一者在该复数个阻抗性记忆体单元中之该第一者上以界定一反及式阻抗性记忆体单元串。一在该绝缘层上之位元线电连接至该复数个阻抗性记忆体单元中之一最后一者。该复数个阻抗性记忆体单元中之至少一者可包含一开关装置及一包含一与该开关装置并联连接之可变电阻器的资料储存元件。亦论述相关装置及制造方法。
|
申请公布号 |
TWI517359 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW097128531 |
申请日期 |
2008.07.25 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
河大元;高宽协 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
詹铭文 |
主权项 |
一种反及式阻抗性记忆体单元串,其包括:一位元线;复数个串联连接之阻抗性记忆体单元,其连接至该位元线;其中该复数个阻抗性记忆体单元中之每一者包括:连续配置的一第一节点、一第二节点及一第三节点;一加热器元件,其连接于该第一节点与该第二节点之间;一可变电阻器,其连接于该第二节点与该第三节点之间;及复数个串联连接之开关装置,该复数个开关装置中之每一者分别具有一连接至该第一节点之第一端子及一连接至该第三节点之第二端子,其中该可变电阻器包括一相变材料层,该相变材料层经组态以回应于经由该加热器元件而施加至其之热而在一非晶状态与一结晶状态之间转变。
|
地址 |
南韩 |