整合镶嵌体鳍式场效电晶体与平面装置于共同基板上的半导体结构及其形成方法

摘要

镶嵌制程以在共同基板上形成鳍式场效电晶体与平面装置(例如MOSFET)的半导体结构之方法。鳍式场效电晶体的半导体鳍藉由镶嵌制程而在一基板上形成，其中半导体鳍成长受到植入离子而中断，植入离子随后转换成使得半导体鳍与基板电性隔离之区域。因为形成镶嵌体鳍所用的遮罩亦作为植入离子时的植入遮罩，所以隔离区域自我对准鳍。在形成鳍式场效电晶体的期间，明确的说是在形成鳍式场效电晶体的闸极期间，半导体鳍可由图案化层支撑。环绕鳍式场效电晶体的电性隔离可为自我对准制程，其使得约在鳍式场效电晶体附近的基板形成凹陷，且以介电材料至少部份地填塞该凹陷

主权项

一种制造半导体结构之方法，包含：于一基板上之一遮罩中，蚀刻一第一沟槽；形成一半导体鳍于第一沟槽中，该半导体鳍具有一通道区域；在部份形成该半导体鳍后，形成一隔离区域于该半导体鳍与该基板间；形成一闸极结构，与该半导体鳍的该通道区域相交；以及当形成该闸极结构时，以该遮罩支撑该半导体鳍。