半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法

摘要

明之一的半导体制造装置100系包含，使甲烷气体或甲醇气体、和氨气，与选自铂、银、铜、镍、钯及金的群组中的至少一种金属或非硷性的纤维材料的触媒进行反应，藉而合成氰化氢的合成装置10；使此氰化氢溶解至作为溶媒的水或甲醇，藉而生成含氰化物离子溶液的同时，将前述含氰化物离子溶液的pH值设定为8以上10.5以下的溶解装置25；以及在pH值已被调整的此含氰化物离子溶液中，浸渍半导体层或半导体基板的半导体处理槽30。再者，此半导体制造装置100在合成装置10与溶解装置25间、以及溶解装置25与半导体处理槽30间，形成让氰化氢或含氰化物离子溶液通过，并得以遮断外部空气的流路14、26。

主权项

一种半导体装置的制造装置，系包含：一合成装置，使一甲烷(CH4)气体或一甲醇(CH3OH)气体、和一氨(NH3)气，以相对于该甲烷(CH4)气体或该甲醇(CH3OH)气体，将该氨(NH3)气以超过化学计量的当量导入至该合成装置，与选自铂、银、铜、镍、钯及金的群组中的至少一种金属或非硷性的纤维材料的触媒进行反应，藉而合成一氰化氢；一溶解装置，使该氰化氢溶解至作为溶媒的水(H2O)或甲醇(CH3OH)，藉而生成一含氰化物离子溶液的同时，将该含氰化物离子溶液的pH值设定为8以上10.5以下；以及一半导体处理槽，在pH值已被调整，且氰化物离子浓度超过100ppm，但在5%以下的该含氰化物离子溶液中，浸渍一半导体层或一半导体基板，其中，在该合成装置与该溶解装置间、以及该溶解装置与该半导体处理槽间，形成让该氰化氢或该含氰化物离子溶液通过，并遮断外部空气的一流路，并包含一分解槽，对从该半导体处理槽经由遮断外部空气的该流路送入的该含氰化物离子溶液进行复数次的紫外线照射及臭氧水导入，藉而将该含氰化物离子溶液的氰化物离子浓度降至10ppm以下。