发明名称 | 形成发光二极体装置的方法 | ||
摘要 | 明提供一种发光二极体装置。该发光二极体装置具有一下发光二极体层、一上发光二极体层、以及一发光层配置于该上层及该下层之间。一电流阻挡层系形成于该上发光二极体层内,以致于使电流通过一接触该上发光二极体层之电极流入该上层时,电流系延着该电流阻挡层四周流动。当该电流阻挡层系配置于该电极及该发光层之间,该发光层所发出之光系不会被该电极所阻碍,且该发光二极体装置具有增加之发光效率。该电流阻挡层可藉由转换部份之上发光二极体层成为一具有电阻阻抗的区域来形成。在一实施例中,系将离子(可例如为镁、碳、或矽离子)布植进入该上发光二极体层,以形成该电流阻挡层。 | ||
申请公布号 | TWI517431 | 申请公布日期 | 2016.01.11 |
申请号 | TW098127687 | 申请日期 | 2009.08.18 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 陈鼎元;余振华;邱文智 |
分类号 | H01L33/00(2010.01) | 主分类号 | H01L33/00(2010.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | 一种形成发光二极体装置的方法,包含:提供一基板;形成一发光二极体结构于该基板之第一侧上,其中该发光二极体结构具有一下层形成于该基板之上、一主动层形成于该下层之上,以及一第一上层形成于该主动层之上;利用布植杂质方式形成一电流阻挡层于该第一上层之内;在布植杂质之步骤后,形成一第二上层于该第一上层及该电流阻挡层之上;形成一第一电极于该第二上层之上,且该第一电极与该第二上层电性连结;以及形成一第二电极于该下层之上,且该第二电极与该下层电性连结,其中该第一电极及第二电极配置于该基板之第一侧。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号 |