发明名称 |
宽动态范围像素单元、其制造方法及其构成的图像感测器 |
摘要 |
明提出了一种宽动态范围像素单元、其制造方法及其构成的图像感测器,该像素单元包括在同一衬底上形成的光电二极体、传输电晶体、浮置扩散节点、重设电晶体、源极随耦电晶体和行选通电晶体,还包括与浮置扩散节点相连的PINNED结构。本发明的像素单元透过控制PINNED结构的耗尽电压来实现图像感测器非线性灵敏度。本发明的制造方法工艺简单,与现有的CMOS制造工艺相容。本发明的图像感测器采用具有PINNED结构的像素单元组成像素阵列,实现了图像感测器的非线性灵敏度,不但能够提高图像感测器对过曝区域的控制,还能提高暗态区域的可视性,从而提高图像感测器的动态范围。
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申请公布号 |
TWI517376 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW102129973 |
申请日期 |
2013.08.22 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
张彩婷;刘坤;傅璟军;胡文阁 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H04N5/355(2011.01);H04N5/335(2011.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒;林景郁 |
主权项 |
一种宽动态范围的像素单元,包括在同一衬底上形成的光电二极体、传输电晶体、浮置扩散节点、PINNED结构,所述光电二极体和浮置扩散节点透过所述传输电晶体分隔,所述浮置扩散节点与所述PINNED结构相连,所述浮置扩散节点的重置电压大于所述PINNED结构的耗尽电压。
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地址 |
中国 |