发明名称 宽动态范围像素单元、其制造方法及其构成的图像感测器
摘要 明提出了一种宽动态范围像素单元、其制造方法及其构成的图像感测器,该像素单元包括在同一衬底上形成的光电二极体、传输电晶体、浮置扩散节点、重设电晶体、源极随耦电晶体和行选通电晶体,还包括与浮置扩散节点相连的PINNED结构。本发明的像素单元透过控制PINNED结构的耗尽电压来实现图像感测器非线性灵敏度。本发明的制造方法工艺简单,与现有的CMOS制造工艺相容。本发明的图像感测器采用具有PINNED结构的像素单元组成像素阵列,实现了图像感测器的非线性灵敏度,不但能够提高图像感测器对过曝区域的控制,还能提高暗态区域的可视性,从而提高图像感测器的动态范围。
申请公布号 TWI517376 申请公布日期 2016.01.11
申请号 TW102129973 申请日期 2013.08.22
申请人 比亚迪股份有限公司 发明人 张彩婷;刘坤;傅璟军;胡文阁
分类号 H01L27/146(2006.01);H04N5/355(2011.01);H04N5/335(2011.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;林景郁
主权项 一种宽动态范围的像素单元,包括在同一衬底上形成的光电二极体、传输电晶体、浮置扩散节点、PINNED结构,所述光电二极体和浮置扩散节点透过所述传输电晶体分隔,所述浮置扩散节点与所述PINNED结构相连,所述浮置扩散节点的重置电压大于所述PINNED结构的耗尽电压。
地址 中国