| 发明名称 | 改善元件热均性之冗置单元图案 | ||
| 摘要 | 改善元件热均性之冗置单元图案，包含有一冗置扩散图案，设于一预定区域A内；一浅沟绝缘区域，设于该预定区域内，且包围住该冗置扩散图案；至少一第一冗置闸极图案，设于该冗置扩散图案上，其两端延伸至该浅沟绝缘区域之上，且与该浅沟绝缘区域的重叠区域为C1与C2；以及一第二冗置闸极图案，直接设于该浅沟绝缘区域之上，且该第二冗置闸极图案与该浅沟绝缘区域的重叠区域为C，其中重叠区域C1与C2，加上重叠区域C占该预定区域A的比例介于5%至20%之间。 | ||
| 申请公布号 | TWI517360 | 申请公布日期 | 2016.01.11 |
| 申请号 | TW100132672 | 申请日期 | 2011.09.09 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 连万益;蒋裕和;潘宗延 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L27/118(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种改善元件热均性之冗置单元图案，包含有：一冗置扩散图案，设于一预定区域A内；一浅沟绝缘区域，设于该预定区域A内，且包围住该冗置扩散图案；至少一第一冗置闸极图案，设于该冗置扩散图案上，其两端延伸至该浅沟绝缘区域之上，且与该浅沟绝缘区域的重叠区域分别为C1与C2；以及一第二冗置闸极图案，直接设于该浅沟绝缘区域之上，且该第二冗置闸极图案与该浅沟绝缘区域的重叠区域为C，其中该重叠区域C1与C2，加上重叠区域C占该预定区域A的比例介于5%至20%之间。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||