发明名称 |
覆晶晶圆级封装及其方法 |
摘要 |
电子封装,包含:一覆晶组件,其具有耦合至一覆晶基板之一第一晶粒;堆叠在该第一晶粒上之第二晶粒;形成于该第一晶粒与该第二晶粒周围之一包封化合物;一组穿过该包封化合物至该覆晶基板之穿包封物通孔(TEV),其提供从该电子封装之第一侧至该电子封装之第二侧的一组电连接件;及一重分布层,其将该第二晶粒上之一组接点电连接至该电子封装之第一侧上的该组TEV。
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申请公布号 |
TWI517342 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW102141481 |
申请日期 |
2013.11.14 |
申请人 |
英特尔德国公司 |
发明人 |
梅尔 索斯登 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01);H01L23/28(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种电子封装,包括:一覆晶组件,其具有耦合至一覆晶基板的一第一晶粒;堆叠在该第一晶粒上之一第二晶粒;形成于该第一晶粒与该第二晶粒周围之一包封化合物;一组穿过该包封化合物至该覆晶基板之穿包封物通孔(TEV),其提供从该电子封装之第一侧至该电子封装之第二侧的一组电连接件;一重分布层,其将该第二晶粒上之一组接点电连接至该电子封装之第一侧上的该组TEV;一保护层,一致地且连续地覆盖远离该覆晶基板的该重分布层的至少一表面;及复数焊料球,黏合至于远离该第一晶粒的该覆晶基板的表面处的该电子封装的单侧。
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地址 |
德国 |