具较佳机械和热机械效能的焊锡凸块内连线

摘要

明揭露一种用以制造在输入/输出(IO)上具有凸块之结构的半导体封装方法与装置，该装置包含装置垫、凸块下方金属垫(UBM)、聚合物以及钝化层。装置垫从其中心到外边缘的最短距离比上UBM从其中心到外边缘之最短距离的比例范围系从0.5：1至0.95：1。此外，该聚合物从其中心到外边缘的最短距离比上UBM从其中心到外边缘之最短距离的比例范围则从0.35：1至0.85：1。再者，该钝化层从其中心到外边缘的最短距离比上该UBM从其中心到外边缘之最短距离的比例范围系从0.35：1至0.80：1。

主权项

一种半导体封装件，包含：一装置垫，该装置垫直接位于一半导体基板上；一钝化层，该钝化层沉积于该装置垫及该半导体基板上方，且该钝化层具有一钝化开口，其中局部移除该钝化层以暴露出下方的该装置垫；一聚合物层，该聚合物层沉积于该钝化层上方，且该聚合物层具有一聚合物开口，其中局部移除该聚合物层以暴露出下方的该装置垫及该钝化层；及一凸块下方金属垫(UBM)，该凸块下方金属垫沉积于该聚合物层上方且经由该聚合物开口沉积于该装置垫上；其中该装置垫之一直径比上该凸块下方金属垫之一直径的比例范围系从0.5：1至0.95：1，且其中该聚合物层中的该开口之一直径比上该凸块下方金属垫之该直径的比例范围系从0.35：1至0.85：1。