发明名称 分析方法、分析装置及蚀刻处理系统
摘要 明系关于一种利用电浆加工晶圆之蚀刻装置,自构成电浆之发光资料之大量的波长中,特定出用于蚀刻处理之监测、监视、控制之波长。
申请公布号 TWI517246 申请公布日期 2016.01.11
申请号 TW102125810 申请日期 2013.07.18
申请人 日立全球先端科技股份有限公司 发明人 朝仓凉次;玉置硏二;鹿子岛昭;白石大辅;增田俊夫
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种分析方法,其特征为包括如下步骤:计测于半导体晶圆之蚀刻处理中之腔室内之发光;针对预先特定出之物质所发光之复数之波长的每一波长,求出上述所计测之发光的发光强度随时间变化之第1时间序列变化;针对位于自预先特定出之物质所发光之波长起预定之距离的周边波长之每一波长,求出上述所计测之发光的发光强度随时间变化之第2时间序列变化;针对每个上述预先特定出之物质,算出表示上述第1时间序列变化之波长间之相关的第1相关值;针对每个波长,算出表示上述第1时间序列变化与上述第2时间序列变化之间之相关的第2相关值;及使用上述第1相关值或上述第2相关值,来特定出上述腔室内之电浆中所含之物质发出之光之波长。
地址 日本