发明名称 NON-VOLATILE MEMORY INTERFACE
摘要 일 실시예에서, 메모리 인터페이스는 요청이 송신되고 있다는 표시를 송신할 수 있다. 이 표시는 메모리 인터페이스와 비휘발성 메모리 사이의 점대점 버스를 통해 비휘발성 메모리로 송신될 수 있다. 메모리 인터페이스는 요청을 버스를 통해 비휘발성 메모리로 송신할 수 있다. 요청은 데이터를 저장하거나 판독하기 위한 위치를 식별하는 데 사용될 수 있는 주소를 포함할 수 있다. 비휘발성 메모리는 버스로부터 요청을 획득하고 요청을 처리할 수 있다. 요청을 처리한 후에, 비휘발성 메모리는 비휘발성 메모리가 메모리 인터페이스로 송신할 응답을 가지고 있다는 것을 나타내는 표시를 메모리 인터페이스로 송신할 수 있다. 메모리 인터페이스는 버스에 대한 액세스를 비휘발성 메모리에 부여할 수 있다. 버스에 대한 액세스를 부여받은 후에, 비휘발성 메모리는 응답을 메모리 인터페이스로 송신할 수 있다.
申请公布号 KR20160003839(A) 申请公布日期 2016.01.11
申请号 KR20157034230 申请日期 2013.07.26
申请人 INTEL CORP. 发明人 OOI ENG HUN;ROYER ROBERT J. JR.;WILLIAMS MICHAEL W.;WILCOX JEFFREY R.;TRIVEDI RITESH B.;FANNING BLAISE
分类号 G06F13/16;G06F12/02;G06F13/42 主分类号 G06F13/16
代理机构 代理人
主权项
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