| 发明名称 |
金属奈米粒子糊、以及使用金属奈米粒子糊之电子零件接合体、ＬＥＤ模组及印刷电路板之电路形成方法 |
| 摘要 |
明系提供一种金属奈米粒子糊，其系使用金属奈米粒子之低温烧结特性，可简单地得到导电性及机械强度优异之金属接合，且可形成导通性优异之配线图型。 |
| 申请公布号 |
TWI516556 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW100120378 |
申请日期 |
2011.06.10 |
| 申请人 |
田村制作所股份有限公司;国立研究开发法人物质 材料研究机构 |
发明人 |
中谷功;广濑正人;原嶋启太;栗田聪;清田达也 |
| 分类号 |
C09D5/24(2006.01);B23K35/26(2006.01);H01B1/22(2006.01);H05K3/12(2006.01);H05K3/14(2006.01) |
主分类号 |
C09D5/24(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种金属奈米粒子糊，其特征系含有：(A)平均初级粒径为1~100nm之金属奈米粒子、(B)被覆于该金属奈米粒子之表面的保护膜、(C)羧酸类、与(D)分散介质；该(A)金属奈米粒子系选自由金、银、铜、铂、钯、镍、铋、铅、铟、锡、锌、钛、铝及锑所成群中之至少一种之金属，或，选自由金、银、铜、铂、钯、镍、铋、铅、铟、锡、锌、钛、铝及锑所构成群中之至少一种之金属合金；该(B)被覆于该金属奈米粒子之表面的保护膜系包含糖醇与脂肪酸之酯及选自由下述式(IV)所表示之化合物所成群之至少一种；R6-NH2 (IV)式中，R6表示碳数2~20之一价之基且为不饱和烃基；该(C)羧酸类为单羧酸或其之酸酐、或二羧酸或其之酸酐；相对于该(A)金属奈米粒子100质量份，该(B)被覆于该金属奈米粒子之表面的保护膜的被覆量为5质量份~30质量份；相对于该(A)金属奈米粒子100质量份，该(C)羧酸类之配合量为30质量份~300质量份。
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| 地址 |
日本;日本 |
