| 发明名称 |
静态随机存取记忆体单元 |
| 摘要 |
静态随机存取记忆体(SRAM)单元，其包括：一第一长边界与一第二长边界，平行于一第一方向；一第一短边界与一第二短边界，平行于一第二方向，而该第二方向垂直于该第一方向，其中该第一与该第二长边界系长于该第一与该第二短边界，并共同形成一矩形；一CVss线，传输一VSS电源供应电压于该第一长边界与该第二长边界之上，其中该CVss线平行于该第二方向；以及一位元线与一反位元线，位于该CVss线之相对两侧，其中该位元线与该反位元线系用以传输互补位元线讯号。
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| 申请公布号 |
TWI517154 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW102141845 |
申请日期 |
2013.11.18 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
廖忠志 |
| 分类号 |
G11C11/41(2006.01);H01L21/8244(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/41(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种静态随机存取记忆体(SRAM)单元，包括：一第一长边界与一第二长边界，平行于一第一方向；一第一短边界与一第二短边界，平行于一第二方向，而该第二方向垂直于该第一方向，其中该第一与该第二长边界系长于该第一与该第二短边界，并共同形成一矩形；一CVss线，传输一VSS电源供应电压于该第一长边界与该第二长边界之上，其中该CVss线平行于该第二方向；一位元线与一反位元线，位于该CVss线之相对两侧，其中该位元线与该反位元线系用以传输互补位元线讯号；一字元线，平行于该第一方向；以及一第一CVdd线与一第二CVdd线，其平行于该第一方向，并位于该字元线之相对两侧，其中该第一CVdd线与该第二CVdd线用以传输一正电源供应电压。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
