非挥发性记忆体结构

摘要

非挥发性记忆体结构，包含有基底，包含第一、第二以及第三主动区域沿着第一方向排成一列，藉由绝缘区域互相隔开，该绝缘区域包括第一中介绝缘区，介于第一与第二主动区域间，第二中介绝缘区，介于第二与第三主动区域间；第一选择电晶体，在第一主动区域上；浮置闸极电晶体，在第二主动区域上，与第一选择电晶体耦合串接，且包含一浮置闸极，完全与第二主动区域重叠，而与第一、第二中介绝缘区部分重叠；以及第二选择电晶体，在第三主动区域上，与浮置闸极电晶体耦合串接，其中第二选择电晶体具有一字元线，沿着该第二方向延伸。

主权项

一种非挥发性记忆体结构，包含有：一第一导电型半导体基底，其上包含有：一第一主动区域、一第二主动区域、一第三主动区域、一第四主动区域以及一第五主动区域，其中该第一、第二、第三主动区域沿着一第一方向排成一列，该第二、第四、第五主动区域沿着一第二方向排成一行；一绝缘区域在空间上互相隔开该第一、第二、第三、第四、第五主动区域，其中该绝缘区域包括：一第一中介绝缘区，介于该第一主动区域与该第二主动区域之间；一第二中介绝缘区，介于该第二主动区域与该第三主动区域之间；一第三中介绝缘区，介于该第二主动区域与该第四主动区域之间；以及一第四中介绝缘区，介于该第四主动区域与该第五主动区域之间；一第二导电型的第一井区域，包围并涵盖该第一中介绝缘区；以及一第二导电型的第二井区域，包围并涵盖该第二中介绝缘区；一第一选择电晶体，在该第一主动区域上，具有一选择闸极沿着该第二方向延伸；一浮置闸极电晶体，在该第二主动区域上，其中该浮置闸极电晶体藉由该第一井区域与该第一选择电晶体耦合串接，且该浮置闸极电晶体包含有一浮置闸极，完全与下方的该第二主动区域重叠，而与该第一、第二中介绝缘
区部分重叠；一第二选择电晶体，在该第三主动区域上，藉由该第二井区域与该浮置闸极电晶体耦合串接，其中该第二选择电晶体具有一选择闸极，沿着该第二方向延伸，并且为一字元线；以及一属于该浮置闸极的延伸段，沿着该第二方向延伸，并完全覆盖住下方的该第四主动区域以及该第五主动区域，其中该浮置闸极的整个周缘系直接落在该绝缘区域上。