发明名称 半导体装置及其制作方法
摘要 半导体装置,包括一第一晶片,其包括一影像感测器,及一第二晶片,其接合至第一晶片。第二晶片包括一逻辑装置,其选自由重置电晶体、选择器、列选择器、或前述之组合所组成之族群。逻辑装置及影像感测器彼此电性耦接且为同一像素单元的一部分。
申请公布号 TWI517375 申请公布日期 2016.01.11
申请号 TW102118367 申请日期 2013.05.24
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈思莹;万孟勋;王子睿;杨敦年;刘人诚
分类号 H01L27/146(2006.01);H01L23/535(2006.01);H01L23/538(2006.01);H01L21/58(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种半导体装置,包括:一第一晶片,其内包括:一影像感测器;一转换闸极电晶体,其中该转换闸极电晶体电性耦接至该影像感测器;一浮置扩散电容,其中该浮置扩散电容电性耦接至该转换闸极电晶体之源/汲极,其中该影像感测元件、该转换闸极电晶体及该浮置扩散电容为同一像素单元的一部分;以及两个金属垫,位于该第一晶片的一表面上,且该转换闸极电晶体及该浮置扩散电容各个电性耦接至上述两个金属垫;一第二晶片,其接合至该第一晶片,其中该第二晶片包括一逻辑装置,其选自由重置电晶体、选择器、列选择器、或前述之组合所组成之族群;以及两个额外的金属垫,位于该第二晶片的一表面上且各个接合至上述两个金属垫,其中该逻辑装置及该影像感测器彼此电性耦接且为该像素单元的一部分。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号