| 发明名称 |
背面块状矽微机电的设备 |
| 摘要 |
体电路装置，包括单一半导体基板；装置层，形成在该单一半导体基板的前面上；再分配层，形成在该单一半导体基板之背面上；穿透矽通孔(TSV)，形成在被电耦接至该装置层及该再分配层之单一半导体基板内；逻辑记忆体介面(LMI)，形成在被电耦接至该再分配层的单一半导体基板之背面上；及MEMS装置，形成在被电耦接至该再分配层的单一半导体基板之背面上。
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| 申请公布号 |
TWI517339 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW101149601 |
申请日期 |
2012.12.24 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
巴斯卡兰 瑞嘉叙利;佩尔图 克里斯多夫 |
| 分类号 |
H01L23/52(2006.01);H01L23/48(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种背面块状矽微机电的设备，包括：单一半导体基板，具有前面及背面；穿透矽通孔(TSV)，形成在该半导体基板内，其由该基板的前面延伸至该基板之背面；及微机电(MEMS)装置，被形成在该基板之背面上；及在该半导体基板的背面上所制成之逻辑记忆体介面(LMI)连接部。
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| 地址 |
美国 |
