| 发明名称 |
半导体用铜接合线及其接合构造 |
| 摘要 |
明的目的系提供材料费廉价，与A1(铝)电极间的接合部有优异的长期可靠性，也可适用于车载用LSI(大型积体电路)用途的接合构造，或是半导体用铜接合线。 |
| 申请公布号 |
TWI517271 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW100104074 |
申请日期 |
2011.02.08 |
| 申请人 |
新日铁住金高新材料股份有限公司;日铁住金新材料股份有限公司 |
发明人 |
宇野智裕;山田隆;池田敦夫 |
| 分类号 |
H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种铜接合线的接合构造，在铜接合线的顶端形成的球部，经由接合至铝电极的球形接合部，连接至半导体元件的电极，其特征在于：上述球形接合部在130~200℃中的任一温度内加热后，上述球形接合部的剖面中，相对于Cu与Al所构成的金属间化合物的厚度，CuAl相的金属间化合物厚度比例为相对化合物比率R1时，R1在50%以上100%以下。
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| 地址 |
日本;日本 |
