| 主权项 |
一种形成层间介电膜的方法，包括：在一半导体基板之上形成一金属闸极；以及在该金属闸极之上形成一层间介电膜，其中利用一含矽化合物作为前驱物及一反应物氧化该含矽化合物，其中该含矽化合物具有一化学式：Six(A)y(B)z(C)m(D)n (I)其中，x介于1到9；y+z+m+n介于4到20；以及A、B、C、及D各自独立地代表与一矽原子连接之一官能基，且该官能基包括：烷基(alkyl)、烯基(alkenyl)、炔基(alkynyl)、芳基(aryl)、烷芳基(alkylaryl)、烷氧基(alkoxyl)、烷基羰基(alkylcarbonyl)、羧基(carboxyl)、烷基羰基氧基(alkylcarbonyloxy)、醯胺基(amide)、胺基(amino)、烷基羰基胺基(alkylcarbonylamino)、-NO2、或-CN，当A、B、C、及D之一为烷氧基(alkoxyl)时，A、B、C、及D中的至少两个与彼此不同。
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