半导体装置之结构

摘要

明系揭露形成一半导体结构之装置与方法。此半导体结构具有一大致为V形轮廓的浅沟渠隔离结构，其中该侧壁是逐步倾斜的，且其中该侧壁上半部间的距离系大于该侧壁下半部间的距离。此半导体结构系利用离子布值将杂质布植于侧壁中，其允许侧壁的上半部较下半部被蚀刻得更快而产生一大致为V形轮廓的开口。因为此沟渠上半部较宽开口的缘故，而导致此大致为V形的轮廓允许后续装置层次而更容易及平顺地填入此V形轮廓的沟渠内。

主权项

一种制造一浮动闸极半导体结构的方法，包含：形成一沟渠于一半导体基板中，该沟渠由一沟渠基底部分及邻接浅沟渠隔离结构的侧壁定义；以及形成布植区域于该邻接浅沟渠隔离结构的一个或两个侧壁，其中该侧壁是逐步倾斜的，且其中该侧壁上半部间的距离系大于该侧壁下半部间的距离。