发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
体装置包含读取电路,其读取写入至记忆体格的资料。读取电路包含第一电晶体、第二电晶体、第一开关、及第二开关。第一电晶体的第一端系电连接至第一电晶体的闸极,及第一电晶体的第二端系经由第一开关电连接至该读取电路的输出。第二电晶体的第一终端系电连接至第二电晶体的闸极,及第二电晶体的第二终端系经由第二开关电连接至读取电路的输出。第一电晶体的通道形成区可以使用氧化物半导体形成,及第二电晶体的通道形成区可以使用矽形成。 |
申请公布号 |
TWI517167 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW100110787 |
申请日期 |
2011.03.29 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
斋藤利彦 |
分类号 |
G11C16/26(2006.01);G11C16/06(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/26(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种包含读取电路的半导体装置,该读取电路包含:第一电晶体;第二电晶体;第一开关;及第二开关,其中该第一电晶体的第一终端系电连接至该第一电晶体的闸极,其中该第一电晶体的第二终端系经由该第一开关电连接至该读取电路的输出,其中该第二电晶体的第一终端系电连接至该第二电晶体的闸极,其中该第二电晶体的第二终端系经由该第二开关电连接至该读取电路的该输出,其中该第一电晶体的该第一终端系架构以被供给以第一电源电位及该第二电晶体的该第一终端系架构以被供给以第二电源电位,其中该第一电晶体的通道形成区包含氧化物半导体,及其中该第二电晶体的通道形成区包含矽。
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地址 |
日本 |