发明名称 |
电性膜体之制造方法 |
摘要 |
时间有效率且高精度地形成薄膜电阻体
之元件。
本发明之电性膜体之制造方法系属于以
成为配合期待之电特性的形状之方式形成膜体的电性膜体之制造方法,其具备下述工程而构成,在基板层上形成电性膜体之成膜工程;测量在该成膜工程中所成膜之电性膜体之面内之电特性的电特性测量工程;以在该电特性测量工程中所测量之电特性为基准而设定电性膜体之形状的电性膜体形状设定工程;及形成在该电性膜体形状设定工程中所设定之形状之电性膜体的电性膜体形成工程。
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申请公布号 |
TWI517768 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
申请号 |
TW102120895 |
申请日期 |
2013.06.13 |
申请人 |
日本麦克隆尼股份有限公司 |
发明人 |
菅井孝安;小田部昇 |
分类号 |
H05K1/16(2006.01);H05K3/06(2006.01);H05K3/46(2006.01);G01R27/00(2006.01) |
主分类号 |
H05K1/16(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种电性膜体之制造方法,以成为配合期待之电特性的形状之方式形成膜体,该电性膜体之制造方法之特征为:具备下述工程而构成,在基板层上形成电性膜体之成膜工程;以在该成膜工程中所成膜的电性膜体形成测量用图案,测量该测量用图案之电特性的电特性测量工程;以在该电特性测量工程中所测量之上述测量用图案之电特性为基准而设定电性膜体之形状的电性膜体形状设定工程;及形成在该电性膜体形状设定工程中所设定之形状之电性膜体的电性膜体形成工程,在上述成膜工程中上述基板层之电性膜体被形成在该基板层之全面,在上述电特性测量工程中,测量上述测量用图案之电特性以作为上述测量用图案之位置附近的电性膜体之电特性,在上述电性膜体形状设定工程中,因应上述测量用图案之位置附近的电性膜体形成位置之电特性而设定电性膜体之形状,在上述电性膜体形成工程中,形成因应上述电性膜体形成位置而被设定之形状的电性膜体。
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地址 |
日本 |