半导体装置

摘要

明的目的之一是提供具有高度集成的新颖结构的半导体装置。半导体装置包含：具有通道形成区的半导体层；与通道形成区电连接的源极电极及汲极电极；与通道形成区重叠的闸极电极；以及在通道形成区与闸极电极之间的闸极绝缘层。当从平面方向观看时，具有通道形成区的半导体层的侧面的一部分和源极电极或汲极电极的侧面的一部分彼此大致对准。

主权项

一种半导体装置，包括：第一电晶体，包括：第一通道形成区；该第一通道形成区上的第一闸极绝缘层；该第一闸极绝缘层上的第一闸极电极，该第一闸极电极与该第一通道形成区重叠；以及源极区及汲极区，该第一通道形成区夹于该源极区及该汲极区之间；以及第二电晶体，包括：包括第二通道形成区的半导体层；电连接到该第二通道形成区的源极电极及汲极电极；与该第二通道形成区重叠的第二闸极电极；以及该第二通道形成区和该第二闸极电极之间的第二闸极绝缘层，其中，该第一电晶体的该第一闸极电极电连接至该第二电晶体的该源极电极及该汲极电极的其中之一，其中，该第一通道形成区及该第二通道形成区包括不同的半导体材料作为各别的主成分，以及其中，该半导体层的侧面和该源极电极或该汲极电极的侧面彼此大致对准。