| 发明名称 |
电阻式随机存取记忆胞及具有埋入型电阻式随机存取记忆胞之逻辑装置之制造方法 |
| 摘要 |
明提供了一种电阻式随机存取记忆胞，包括：一电晶体；一底电极，邻近该电晶体之一汲极区且与该闸极共平面；一电阻材料层，位于该底电极上；一顶电极，位于该电阻材料层上；以及一导电材料，连结该底电极与该汲极区。
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| 申请公布号 |
TWI517468 |
申请公布日期 |
2016.01.11 |
| 申请号 |
TW102145071 |
申请日期 |
2013.12.09 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
张至扬;朱文定;涂国基;廖钰文;陈侠威;杨晋杰 |
| 分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L21/44(2006.01);G11C13/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种电阻式随机存取记忆胞，包括：一电晶体，具有一闸极、一源极区及一汲极区；一底电极，邻近该汲极区且与该闸极共平面；一电阻材料层，位于该底电极上；一顶电极，位于该电阻材料层上；以及一导电材料，连结该底电极与该汲极区。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
