低接触阻值之半导体结构及其制作方法

摘要

低接触阻值之半导体结构及其制作方法，其结构包含有一基板、一半导体堆叠层、一低接触阻值层以及一透明导电层，该低接触阻值层设置于该半导体堆叠层具有一P型氮化镓层之一侧，该低接触阻值层之厚度小于100埃且其材质系选自于由铝、镓、铟及其组合所组成之群组。藉由该低接触阻值层之设置，降低该P型氮化镓层与该透明导电层之间的阻抗，若应用于发光二极体上，可有效增加发光效率。而本发明更揭露该结构的制作方法，其主要利用金属有机化学气象沉积的方式形成一致密且薄化的低接触阻值层，强化各层之间的匹配程度。

主权项

一种低接触阻值之半导体结构，包含有：一基板；一半导体堆叠层，包括一形成于该基板上的N型半导体层及一设于该N型半导体层上方的P型氮化镓层，该P型氮化镓层具有一上表面；一低接触阻值层，设置于该上表面，该低接触阻值层之厚度介于25埃至50埃之间，且其材质系选自由铝、镓、铟及其组合所组成之群组；及一透明导电层，设置于低接触阻值层远离该P型氮化镓层之一侧。