磊晶膜形成方法、溅镀装置、半导体发光元件之制造方法、半导体发光元件及照明装置

摘要

明系以提供藉由溅镀法在α-Al2O3基板上磊晶生长高品质之III族氮化物半导体薄膜之磊晶膜形成方法为目的。与本发明之一实施型态有关之磊晶膜形成方法，系对被配置在溅镀装置(1)的具备加热器电极(104)和偏压电极(103)之基板保持器(111)上的α-Al2O3基板，形成III族氮化物半导体薄膜之磊晶膜之时，在藉由加热器电极(104)将α-Al2O3基板保持在特定温度之状态下，对靶材电极(102)施加高频电力，并且对偏压电极(103)施加高频偏压电力，此时以不会产生高频电力和高频偏压电力之频率干涉之方式被施加。

主权项

一种磊晶膜形成方法，使用溅镀法在基板上形成磊晶膜，该磊晶膜形成方法之特征为包含：于配置有纤锌矿构造之靶材及于成膜时用以形成纤锌矿构造之膜的靶材之至少一方的容器内，配置上述基板；以抑制被施加之高频电力和被施加之高频偏压电力之间频率干涉之方式，施加上述高频电力于安装有上述靶材之靶材电极，和施加上述高频偏压电力于支撑上述基板之基板保持器；及利用藉由上述高频电力所生成之电浆，溅镀上述靶材，并在上述基板上形成上述磊晶膜，其中前述形成磊晶膜包括藉由施加前述高频电力至前述靶材电极使得前述靶材放出前述靶材的分子，同时藉由施加前述高频偏压电力至前述基板保持器以产生电场，前述电场的分极配向成从朝向前述基板保持器所支撑之前述基板的前述分子之负电荷至正电荷。