背接式太阳电池制造方法

摘要

明提供一种背接式太阳电池的制造方法，该方法包括：a)形成穿过第一导电类型之半导体基板的二相对表面之穿孔；b)将第二导电类型之杂质掺杂至半导体基板的表面中以形成第二导电类型之层；c)在二相对表面其中之一上形成蚀刻光阻图案以覆盖穿孔的开口部；d)利用蚀刻光阻图案作为蚀刻遮罩来选择性蚀刻半导体基板的一表面，从而移除存在于其上不形成该蚀刻光阻图案之该半导体基板的一表面上之第二导电类型之层的一部份；以及e)部份蚀刻存在于相对半导体基板的一表面之半导体基板的另一表面上之第二导电类型之层，从而控制存在于半导体基板的另一表面上之第二导电类型之层中的杂质浓度。

主权项

一种背接式太阳电池的制造方法，该方法包含：a)形成穿过第一导电类型之半导体基板的二相对表面之穿孔；b)将第二导电类型之杂质掺杂至该半导体基板的表面中以形成第二导电类型之层；c)在该二相对表面其中之一上形成蚀刻光阻图案以覆盖该穿孔的开口部；d)利用该蚀刻光阻图案作为蚀刻遮罩来选择性蚀刻该半导体基板之一表面，从而移除存在于其上不形成该蚀刻光阻图案之该半导体基板的一表面上之该第二导电类型之层的一部份；以及e)部份蚀刻存在于相对该半导体基板的一表面上之该半导体基板的另一表面上之该第二导电类型之层，从而控制存在于该半导体基板的另一表面上之该第二导电类型之层中该杂质的浓度。