发明名称 钴系膜形成方法、钴系膜形成材料以及新颖化合物
摘要 一种熔点低、在40℃前后成为液体、恐怕会引起在配管中途之固化闭塞之可能性变小、可以安定地供应原料、容易形成高品质之钴系膜的技术。 成为用以形成钴系膜之材料,具有双(N,N’-二异丙基二乙基甲酮脒酸酯)钴。
申请公布号 TWI516628 申请公布日期 2016.01.11
申请号 TW101136809 申请日期 2012.10.05
申请人 气相成长股份有限公司;东京威力科创股份有限公司 发明人 町田英明;石川真人;须藤弘;河野有美子;岩井和俊
分类号 C23C16/18(2006.01);C23C16/455(2006.01);C07F15/06(2006.01);H01L21/285(2006.01) 主分类号 C23C16/18(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项 一种钴系膜形成方法,具有:将双(N,N’-二异丙基二乙基甲酮脒酸酯)钴输送至成膜室之输送制程;以及,藉由前述输送至成膜室之双(N,N’-二异丙基二乙基甲酮脒酸酯)钴之分解而在基板上来形成钴系膜之成膜制程,其中,前述之成膜制程系至少具有第1成膜制程和第2成膜制程,前述之第2成膜制程系前述第1成膜制程之后面之制程,前述第1成膜制程之前述成膜室之内部压力系高于前述第2成膜制程之前述成膜室之内部压力,在前述之第1成膜制程,于前述之成膜室,至少供应NH3及/或NH3生成化合物,于前述之成膜室,实质上无供应H2,在前述之第2成膜制程,于前述之成膜室,供应NH3及/或NH3生成化合物和H2,(前述之H2)/(前述之NH3及/或NH3生成化合物)=0.0001~2(莫尔数比)。
地址 日本;日本